這是誠芯微科技推出的一款集成GaN Mos的45W氮化鎵快充參考設計,這款參考設計方案由初級氮化鎵合封芯片CX75GD025E,同步整流控制器CX7539F和協(xié)議芯片CX2919C組成整套高效完整解決方案,是市面上一款極具高性?xún)r(jià)比的大功率氮化鎵PD全套方案。
45W集成GaN MOS全套PD方案參考設計得益于電源主控使用了合封氮化鎵芯片,使得該方案設計的電路十分精簡(jiǎn),有效降低了設計與加工成本,縮短生產(chǎn)周期,從而讓PD快充充電器做到了“小體積、大功率、更高性?xún)r(jià)比”這一特點(diǎn)。
45W集成GaN MOS全套PD方案參考設計模塊整體小巧。
輸出端焊接協(xié)議小板,設有單 USB-C 接口。
具體參數:
DEMO(L*W*H):48*41*23mm
TYPE-C單口輸出:5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A 45W Max
該套方案的核心元件是CX75GD025E合封氮化鎵芯片,這是一款集成高壓GaNFET功率器件高頻高性能準諧振式交直流轉換功率開(kāi)關(guān),應用于45W內高性能、低待機功率、低成本、高效率的隔離型反激式開(kāi)關(guān)電源。
CX75GD025E集成了完備的保護功能,包括:Vcc欠壓保護(UVLO),Vcc過(guò)壓保護(Vcc_OVP),輸入欠壓保護(Brown in),輸入過(guò)壓保護(Brown out),輸出過(guò)壓保護(VO_OVP),FB開(kāi)短路保護以及副邊SR短路保護,CS開(kāi)短路保護等。
CX75GD025E提供了優(yōu)良的電磁干擾性能,為需要超低待機功耗的高性?xún)r(jià)比反激式開(kāi)關(guān)電源系統提供了一個(gè)很好的設計平臺。
CX75GD025E支持 9-40V 超寬范圍供電,支持最高200KHz 開(kāi)關(guān)頻率,采用ESOP-10W 封裝,芯片內置多重完善保護功能。
同步整流控制器采用CX7539F,是一款針對離線(xiàn)式反激變換器的副邊同步整流管 ( MOSFET ) 驅動(dòng)的高性能控制器,并且 VCC 具有自供電功能,無(wú)需輔助繞組供電并支持寬輸出電壓范圍。支持 High Side 或 Low Side 應用場(chǎng)景,支持 CCM/QR/DCM 工作模式。
CX7539F是一顆高性能的開(kāi)關(guān)電源次級側同步整流控制電路。在低壓大電流開(kāi)關(guān)電源應用中,輕松滿(mǎn)足6級能效,是理想的超低導通壓降整流器件的解決方案。支持CCM/QR/DCM等開(kāi)關(guān)電源工作模式應用,其極低導通壓降產(chǎn)生的損耗遠小于肖特基二極管的導通損耗,極大提高了系統的轉換效率,大幅降低了整流器件的溫度。
CX7539F是一款內置高壓 NMOSFET 同步整流開(kāi)關(guān),且具有極低的內阻,可提供系統高達5A以?xún)鹊膽幂敵?;IC通過(guò)檢測集成 MOSFET 的源漏電壓來(lái)決定其開(kāi)關(guān)狀態(tài),能夠兼容連續模式、非連續和準諧振工作模式的反激轉換器。
CX7539F采用特有自供電技術(shù),可保證在原邊控制系統恒流和恒壓兩種工作狀態(tài)下,芯片都不會(huì )欠壓工作。
誠芯微科技這款45W合封氮化鎵快充方案設計全套芯片均為自家自主研發(fā),集成度高且外圍精簡(jiǎn),待機功耗較低,非常適合快充電源應用。誠芯微科技針對 20W、30W、45W 、65W快充應用,推出了合封氮化鎵芯片CX75GDXXXX系列。通過(guò)合封氮化鎵的高集成設計,簡(jiǎn)化實(shí)際應用過(guò)程中的初級電路,讓氮化鎵快充的研發(fā)變得與傳統硅快充一樣簡(jiǎn)單。此外還減少了初級側的外圍器件數量,從而降低生產(chǎn)成本。